SPI35N10

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-262-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

35 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

44 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

49 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.45 mm

Ұзындығы:

10.2 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

12 S

Күз уақыты:

23 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

63 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

39 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12.2 ns

Бірлік салмағы:

0.084199 oz

Tags

SPI3, SPI