Jan2N4854/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-78-6

Транзистордың полярлығы:

NPN, PNP

Конфигурация:

Қосарлы

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

40 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

60 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.4 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

600 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

300 at 150 mA, 10 V

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

35 at 100 uA, 10 V

Pd - қуаттың шығыны:

0.6 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

100

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

Jan2N4854, Jan2N485, Jan2N48, Jan2N4, Jan2N, Jan2, JAN