GS816218DD-375I

GS816218DD-375I
Mfr. #:
GS816218DD-375I
Өндіруші:
GSI Technology
Сипаттама:
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
GS816218DD-375I Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
GS816218DD-375I Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
GSI технологиясы
Өнім санаты:
SRAM
Жад өлшемі:
18 Mbit
Ұйымдастыру:
1 M x 18
Қол жеткізу уақыты:
4.2 ns
Максималды сағат жиілігі:
375 MHz
Интерфейс түрі:
Параллель
Қоректендіру кернеуі - Макс:
3.6 V
Қоректендіру кернеуі - Мин:
2.3 V
Жабдықтау тогы - Макс:
270 mA, 340 mA
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 40 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 85 C
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
BGA-165
Қаптама:
Науа
Жад түрі:
SDR
Серия:
GS816218DD
Түрі:
Құбыр/Ағын
Бренд:
GSI технологиясы
Ылғалға сезімтал:
Иә
Өнім түрі:
SRAM
Зауыттық буманың саны:
36
Ішкі санат:
Жад және деректерді сақтау
Сауда атауы:
SyncBurst
Tags
GS816218DD-3, GS816218DD, GS81621, GS8162, GS816, GS81, GS8
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
SRAM Chip Sync Dual 2.5V/3.3V 18M-Bit 1M x 18 4.2ns/2.5ns 165-Pin FBGA
***ical
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
***-Wing Technology
e0 Surface Mount CY7C1318 Tray ic memory 250MHz 450ps 380mA 18Mb
***ress Semiconductor SCT
DDR-II CIO, 18 Mbit Density, BGA-165
***ponent Stockers USA
1M X 18 DDR SRAM 0.45 ns PBGA165
***i-Key
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
***et
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
***-Wing Technology
e0 Surface Mount CY7C1318 Tray ic memory 250MHz 450ps 380mA 18Mb
***DA Technology Co., Ltd.
Product Description Demo for Development.
***i-Key
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
***or
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS, CMOS, P
***et
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
***-Wing Technology
e1 Surface Mount CY7C1318 Tray ic memory 250MHz 450ps 380mA 18Mb
***ress Semiconductor SCT
DDR-II CIO, 18 Mbit Density, FBGA-165, RoHS
***ponent Stockers USA
1M X 18 DDR SRAM 0.45 ns PBGA165
***i-Key
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
***pmh
IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II
***et
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin LFBGA
***i-Key
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
***ark
18Mb, Ddr Ii (Burst Of 2) Cio, Sync Sram, 1M X 18, 165 Ball Fbga (13X15 Mm), Rohs |Integrated Silicon Solution (Issi) IS61DDB21M18A-300B4L
SyncBurst SRAMs
GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.Learn More
Сурет Бөлім № Сипаттама
GS816218DGB-200I

Mfr.#: GS816218DGB-200I

OMO.#: OMO-GS816218DGB-200I

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816218DB-150IV

Mfr.#: GS816218DB-150IV

OMO.#: OMO-GS816218DB-150IV

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
GS816218DGB-250IV

Mfr.#: GS816218DGB-250IV

OMO.#: OMO-GS816218DGB-250IV

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
GS816218DGB-400I

Mfr.#: GS816218DGB-400I

OMO.#: OMO-GS816218DGB-400I

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816218DB-375

Mfr.#: GS816218DB-375

OMO.#: OMO-GS816218DB-375

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816218DGD-375

Mfr.#: GS816218DGD-375

OMO.#: OMO-GS816218DGD-375

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816218DGD-400

Mfr.#: GS816218DGD-400

OMO.#: OMO-GS816218DGD-400

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816218DD-200M

Mfr.#: GS816218DD-200M

OMO.#: OMO-GS816218DD-200M

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
GS816218DGD-333IV

Mfr.#: GS816218DGD-333IV

OMO.#: OMO-GS816218DGD-333IV

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
GS816218DD-333IV

Mfr.#: GS816218DD-333IV

OMO.#: OMO-GS816218DD-333IV

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
5500
Саны енгізіңіз:
GS816218DD-375I ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
26,31 $
26,31 $
25
24,43 $
610,75 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
  • High-Temperature FASTON Housings
    TE Connectivity's FASTON terminals and connectors are a high quality, high temperature rated flag house that fully encloses the terminal.
  • 8462 Silicone Grease
    MG Chemicals' 8462 silicone grease is a water repelling, non-melting, and lubricating dielectric grease that provides superior corrosion and arcing resistance for connectors.
  • Compare GS816218DD-375I
    GS816218DD333 vs GS816218DD333I vs GS816218DD333IV
  • LGA 3647 Socket and Hardware
    TE Connectivity’s LGA 3647 socket and hardware meet the next-generation designs for Intel- and AMD-based LAG microprocessor packages for server, storage, data center, and high-performance computin
  • Super Duster™ 134 Aerosol Dusters
    MG Chemicals' Super Duster™ 134 non-flammable aerosol dusters remove microscopic dust, lint, and foreign particles from electro-mechanical instruments.
  • 15.0 mm High Power Terminal Block
    TE Connectivity AMP's high power terminal blocks are compact size, provide high current capacity, and are available in multiple positions.
Top