DMN1017UCP3-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

X3-DSN1010-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

14.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

400 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

16 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.47 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.6 S

Күз уақыты:

7.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.7 ns

Tags

DMN101, DMN10, DMN1, DMN