SQJ208EP-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A, 60 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.4 mOhms, 3.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V, 1.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

33 nC, 75 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

48 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

32 S, 51 S

Күз уақыты:

25 ns, 57 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns, 5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns, 35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns, 14 ns

Tags

SQJ20, SQJ2, SQJ