SI1499DH-T1-E3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

8 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

78 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

350 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

10.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.78 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

2.1 mm

Серия:

SI1

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

8 S

Күз уақыты:

60 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

40 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

50 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SI1499DH-E3

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

SI1499DH-T, SI1499, SI149, SI14, SI1