CGH55030F2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Cree, Inc.

Өнім санаты:

RF JFET транзисторлары

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

HEMT

Технология:

GaN

Табыс:

12 dB

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

120 V

Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:

- 10 V to 2 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Шығу қуаты:

25 W

Су төгетін қақпаның максималды кернеуі:

-

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

-

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

440166

Қаптама:

Науа

Қолдану:

-

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

3.43 mm

Ұзындығы:

14.09 mm

Жұмыс жиілігі:

4.5 GHz to 6 GHz

Жұмыс температурасының диапазоны:

-

Өнім:

GaN HEMT

Ені:

4.19 mm

Бренд:

Wolfspeed / Cree

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Шлюз-көзінің кесу кернеуі:

-

Сынып:

-

Күз уақыты:

-

NF - Шудың суреті:

-

P1dB - қысу нүктесі:

-

Өнім түрі:

RF JFET транзисторлары

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

-

Көтеру уақыты:

-

Зауыттық буманың саны:

60

Ішкі санат:

Транзисторлар

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

-

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 3 V

Tags

CGH55030F2, CGH55030F, CGH5503, CGH55, CGH5, CGH