ZXMN6A08GQTC

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-223-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

80 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

5.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.9 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.6 S

Күз уақыты:

4.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.1 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12.3 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.6 ns

Бірлік салмағы:

0.003951 oz

Tags

ZXMN6A08G, ZXMN6A08, ZXMN6A0, ZXMN6A, ZXMN6, ZXMN, ZXM