CSD17578Q3AT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

VSONP-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

7.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

37 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

3.15 mm

Серия:

CSD17578Q3A

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

48 S

Күз уақыты:

1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2 ns

Бірлік салмағы:

0.000967 oz

Tags

CSD17578, CSD1757, CSD175, CSD17, CSD1, CSD