DMN1150UFB-7B

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

X1-DFN1006-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.41 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

150 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

350 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

6 V

Qg - қақпа заряды:

1.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN1150

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

30 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

34.5 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

57 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.1 ns

Бірлік салмағы:

0.000035 oz

Tags

DMN1, DMN