IRF8910TRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

14.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.55 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

7.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

24 S

Күз уақыты:

4.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9.7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.2 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001555820

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

IRF8910TRP, IRF8910T, IRF8910, IRF891, IRF89, IRF8, IRF