SQ4153EY-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

900 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

151 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

7.1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

54 S

Күз уақыты:

283 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

168 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

310 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

31 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

SQ415, SQ41, SQ4