IXTH1N250

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

2.5 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

40 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

41 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

21.46 mm

Ұзындығы:

16.26 mm

Серия:

IXTH1N250

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

5.3 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

1 mS

Күз уақыты:

39 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

132 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

69 ns

Бірлік салмағы:

0.229281 oz

Tags

IXTH1N2, IXTH1N, IXTH1, IXTH, IXT