BSS123N H6327

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

190 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

800 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

900 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

BSS123

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

410 mS

Күз уақыты:

22 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.2 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

7.4 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.3 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS123NH6327XT BSS123NH6327XTSA1 SP000870646

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

BSS123NH63, BSS123NH, BSS123N, BSS123, BSS12, BSS1, BSS