STP80N70F4

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

68 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

85 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

90 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Серия:

STP80N70F4

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

36 ns

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

80 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

0.063493 oz

Tags

STP80N70F, STP80N7, STP80N, STP80, STP8, STP