SI3443DVTRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

65 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

11 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Infineon / IR

Күз уақыты:

72 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

33 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

70 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001563096

Бірлік салмағы:

0.000705 oz

Tags

SI3443DVTR, SI3443DVT, SI3443DV, SI3443D, SI3443, SI344, SI34, SI3