SIHFR1N60ATR-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

14 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

36 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Биіктігі:

2.38 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Серия:

SIHFR

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.88 S

Күз уақыты:

20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

14 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.8 ns

Tags

SIHFR1N, SIHFR1, SIHFR, SIHF, SIH