IPG20N06S4L26AATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TDSON-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

16 V

Qg - қақпа заряды:

20 nC, 20 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

33 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

5.9 mm

Серия:

OptiMOS-T2

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

10 ns, 10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

1.5 ns, 1.5 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns, 18 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns, 5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPG20N06S4L-26A SP001023848

Бірлік салмағы:

0.003474 oz

Tags

IPG20N06S4L26A, IPG20N06S4L2, IPG20N06S4L, IPG20N06S4, IPG20N06, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG