GA10JT12-247

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

GeneSiC жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

SiC

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

100 mOhms

Qg - қақпа заряды:

55 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

170 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

GA10JT12

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

GeneSiC жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бірлік салмағы:

0.503113 oz

Tags

GA10, GA1