DMN1008UFDF-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

U-DFN2020-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

12.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

13.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.7 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

7.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.6 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.5 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN