FDG6322C

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-323-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

220 mA, 410 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

FDG6322C

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Түрі:

FET

Ені:

1.25 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.2 S, 0.9 S

Күз уақыты:

4.5 ns, 8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.5 ns, 8 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

4 ns, 55 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns, 7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

FDG6322C_NL

Бірлік салмағы:

0.000988 oz

Tags

FDG6322C, FDG6322, FDG632, FDG63, FDG6, FDG