APTM20AM04FG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

SP-6

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

21.9 mm

Ұзындығы:

108 mm

Ені:

62 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

116 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

372 A

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 kW

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4 mOhms

Көтеру уақыты:

64 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Сауда атауы:

POWER MOS 7

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

88 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Бірлік салмағы:

3.880136 oz

Tags

APTM20AM0, APTM20A, APTM2, APTM, APT