CSD16409Q3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

VSON-Clip-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

100 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

16 V

Qg - қақпа заряды:

4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.6 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

CSD16409Q3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

38 S

Күз уақыты:

3.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10.6 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

6.3 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.5 ns

Бірлік салмағы:

0.001474 oz

Tags

CSD16409Q, CSD16409, CSD1640, CSD164, CSD16, CSD1, CSD