SQ3985EV-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

130 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

4.6 nC, 4.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

3 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

7 S, 7 S

Күз уақыты:

20 ns, 20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

26 ns, 26 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns, 40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns, 5 ns

Tags

SQ3985, SQ398, SQ39, SQ3