IRLR7807ZTRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

43 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

13.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.25 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

40 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

51 S

Күз уақыты:

3.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

28 ns

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9.8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7.1 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001569108

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRLR7807ZT, IRLR7807Z, IRLR780, IRLR7, IRLR, IRL