IPD80R1K4CEBTMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

23 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

63 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

CoolMOS CE

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

72 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPD80R1K4CE SP001100604

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPD80R1K4C, IPD80R1K4, IPD80R1, IPD80R, IPD80, IPD8, IPD