IRF100P219XKMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247AC-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

304 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

180 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

341 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

224 S

Күз уақыты:

80 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

90 ns

Зауыттық буманың саны:

400

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

100 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IRF100P219 SP001619552

Tags

IRF100, IRF10, IRF1, IRF