QPD1014SR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Қорво

Өнім санаты:

RF JFET транзисторлары

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

HEMT

Технология:

GaN SiC

Табыс:

18.4 dB

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

50 V

Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:

145 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1 A

Шығу қуаты:

12.5 W

Су төгетін қақпаның максималды кернеуі:

55 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 85 C

Pd - қуаттың шығыны:

15.8 W

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-8

Қаптама:

Ролик

Жұмыс жиілігі:

30 MHz to 1200 MHz

Серия:

QPD1014

Бренд:

Қорво

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Әзірлеу жинағы:

QPD1014EVB01

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

RF JFET транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

100

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бөлім # Бүркеншік аттар:

QPD1014

Tags

QPD101, QPD10, QPD1, QPD