TP65H050WS

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Трансформ

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

GaN Si

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

36 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

60 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

24 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

119 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Трансформ

Күз уақыты:

11 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

86 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

51 ns

Tags

TP65H, TP65, TP6