CSD17313Q2Q1T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

WSON-FET-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

24 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V, 8 V

Qg - қақпа заряды:

2.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

17 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

2 mm

Серия:

CSD17313Q2Q1

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

16 S

Күз уақыты:

1.3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.9 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

4.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.8 ns

Tags

CSD17313Q2Q, CSD17313Q2, CSD17313, CSD1731, CSD173, CSD17, CSD1, CSD