STP30NM30N

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

300 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

90 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

160 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.15 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STP30NM30N

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.6 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

65 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

0.011640 oz

Tags

STP30NM, STP30N, STP30, STP3, STP