BSO207P H

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

32 mOhms, 32 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

- 16 nC, - 16 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

OptiMOS P

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

10 S, 10 S

Күз уақыты:

35 ns, 35 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

22 ns, 22 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

33 ns, 33 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns, 9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSO207PHXUMA1 BSO27PHXT SP000613832

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

BSO207PH, BSO207, BSO20, BSO2, BSO