2N5796/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-78-6

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Қосарлы

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

60 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

60 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.6 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

600 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

300 at 150 mA, 10 V

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

50 at 150 mA, 1 V

Pd - қуаттың шығыны:

600 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

100

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

2N5796, 2N579, 2N57, 2N5