PMDXB950UPEZ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-1010B-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

500 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

450 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

1.19 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

380 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Бренд:

Nexperia

Форвард өткізгіштік - Мин:

480 mS

Күз уақыты:

6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.3 ns

Бірлік салмағы:

0.000042 oz

Tags

PMDXB9, PMDX, PMD