2N3762L

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-5-3

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

40 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

40 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.9 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

1.5 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

120

Қаптама:

Фольга сөмкесі

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Үздіксіз коллекторлық ток:

1.5 A

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

30

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

2N3762, 2N376, 2N37, 2N3