STP30NM50N

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

27 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

90 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

190 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

9.15 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STB30NM50N

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Қуатты MOSFET

Ені:

4.6 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

23 S

Күз уақыты:

60 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

20 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

115 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Бірлік салмағы:

0.011640 oz

Tags

STP30NM, STP30N, STP30, STP3, STP