PMZ370UNEYL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-1006-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

900 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

370 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

770 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

770 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

360 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.5 mm

Ұзындығы:

1.02 mm

Өнім:

MOSFET

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET траншеясы

Ені:

0.62 mm

Бренд:

Nexperia

Форвард өткізгіштік - Мин:

1580 mS

Күз уақыты:

27 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

54 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бірлік салмағы:

0.000028 oz

Tags

PMZ37, PMZ3, PMZ