FDD4N60NZ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

8.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

114 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

UniFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.39 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Өнім:

MOSFET

Серия:

FDD4N60NZ

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.4 S

Күз уақыты:

12.8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15.1 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12.7 ns

Бірлік салмағы:

0.009184 oz

Tags

FDD4, FDD