BSD214SN H6327

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

111 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

700 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

800 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Серия:

BSD214

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

4 S

Әзірлеу жинағы:

-

Күз уақыты:

1.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.8 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

6.8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.1 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSD214SNH6327XT BSD214SNH6327XTSA1 SP000917656

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

BSD214SNH, BSD214S, BSD214, BSD21, BSD2, BSD