TK25E60X,S1X

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

105 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

40 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

180 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

DTMOSIV

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.1 mm

Ұзындығы:

10.16 mm

Серия:

TK25E60X

Ені:

4.45 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

90 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

TK25E6, TK25E, TK25, TK2