SIHP24N65EF-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220AB-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

24 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

156 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

81 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

E

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

46 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

34 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

80 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

SIHP24N, SIHP24, SIHP2, SIHP, SIH