IPS060N03LGAKMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

30 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

56 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

6.22 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2.38 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

34 S

Күз уақыты:

3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns

Зауыттық буманың саны:

1500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

G IPS060N03L IPS060N03LGXK SP000705724

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPS060N03LG, IPS060, IPS06, IPS0, IPS