TSM2301BCX

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

80 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

450 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

5.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

900 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

P-арна

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.5 S

Күз уақыты:

34 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

36 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

42 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

TSM2301B, TSM2301, TSM230, TSM23, TSM2, TSM