FDP023N08B-F102

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

75 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

242 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.96 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

150 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

245 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

16.3 mm

Ұзындығы:

10.67 mm

Серия:

FDP023N08B

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.7 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

185 S

Күз уақыты:

56 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

71 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

111 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

41 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

FDP023N08B_F102

Бірлік салмағы:

0.082753 oz

Tags

FDP023N, FDP023, FDP02, FDP0, FDP