SQJ200EP-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8L-4

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A, 60 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

18 nC, 43 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

27 W, 48 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.04 mm

Ұзындығы:

6.15 mm

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

5.13 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

55 S, 60 S

Күз уақыты:

13 ns, 14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns, 17 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns, 19 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4 ns, 7 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SQJ200, SQJ20, SQJ2, SQJ