IRF1902GTRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

85 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

700 mV

Qg - қақпа заряды:

7.5 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

5.6 S

Күз уақыты:

19 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001561612

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

IRF19, IRF1, IRF