IXTP01N100D

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220AB-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

400 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

80 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

5.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

25 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Таусылуы

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.15 mm

Ұзындығы:

10.66 mm

Серия:

IXTP01N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.83 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

100 mS

Күз уақыты:

64 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

34 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTP0, IXTP, IXT