BSZ16DN25NS3 G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSDSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

250 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10.9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

146 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

11.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

62.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

7 S

Күз уақыты:

4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GXT SP000781800

Бірлік салмағы:

0.003527 oz

Tags

BSZ16D, BSZ16, BSZ1, BSZ