APT11N80BC3G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

390 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

60 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

156 W

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

5.31 mm

Ұзындығы:

21.46 mm

Ені:

16.26 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Күз уақыты:

7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

70 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

APT11N, APT11, APT1, APT