HP8KA1TB

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

HSOP-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

14 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

24 nC, 24 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

5.8 mm

Өнім:

MOSFET

Транзистор түрі:

2 N-channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

5 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

14 S, 14 S

Күз уақыты:

40 ns, 40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

30 ns, 30 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

85 ns, 85 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns, 25 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

HP8KA1

Бірлік салмағы:

0.002490 oz

Tags

HP8KA, HP8K, HP8